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Linea 2: | Linea 2: | ||
====== Technology characterization ====== | ====== Technology characterization ====== | ||
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+ | ===== Introduction ===== | ||
Primissima cosa da fare quandoo uno si mette a lavorare con un nuov PDK, | Primissima cosa da fare quandoo uno si mette a lavorare con un nuov PDK, | ||
Linea 7: | Linea 9: | ||
transistor per determinare //C<sub>ox</sub>//, //ε<sub>ox</sub>//, //t<sub>ox</sub>//, | transistor per determinare //C<sub>ox</sub>//, //ε<sub>ox</sub>//, //t<sub>ox</sub>//, | ||
gm/Id etc. | gm/Id etc. | ||
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+ | Reference: //Appendix B - CMOS Device Characterization// in //CMOS Analog Circuit Design//, Allen Holdberg | ||
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+ | {{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png} | ||
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+ | ===== Gate capacitance ===== | ||
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+ | Primo plot in assoluto da produrre! Cg(Vg)! Da cui posso misurare Cox e quindi tox! Inoltre | ||
+ | vedo la transizione | ||
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+ | //**weak inversion**// => //**moderate inversion**// => //**strong inversion**// | ||
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+ | Basta simulare un MOS connesso a condensatore, con Vs = Vg = Vb = 0 e variare Vg sul gate | ||
+ | da -Vdd a +Vdd | ||
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+ | {{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png?600}} | ||
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+ | See also \\ | ||
+ | //[[http://www.edaboard.com/thread156795.html]]// \\ | ||
+ | //[[http://www.el.gunma-u.ac.jp/~kobaweb/news/pdf/e85-c_5_1182.pdf]]// | ||
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