Technology characterization

Primissima cosa da fare quandoo uno si mette a lavorare con un nuov PDK, caratterizzare la propria technologia! Quindi iniziare da simulazioni sul singolo transistor per determinare C_ox, ε_ox, t_ox, gm/Id etc.

Reference: Appendix B - CMOS Device Characterization in CMOS Analog Circuit Design, Allen Holdberg

{{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png}

Primo plot in assoluto da produrre! Cg(Vg)! Da cui posso misurare Cox e quindi tox! Inoltre vedo la transizione

weak inversion ⇒ moderate inversion ⇒ strong inversion

Basta simulare un MOS connesso a condensatore, con Vs = Vg = Vb = 0 e variare Vg sul gate da -Vdd a +Vdd

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Introduction

Gate capacitance