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vlsi:workbook:analog:techniques:technology [01/08/2013 00:53] pacher |
vlsi:workbook:analog:techniques:technology [01/08/2013 12:22] pacher |
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|---|---|---|---|
| Linea 13: | Linea 13: | ||
| + | |||
| + | {{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png} | ||
| ===== Gate capacitance ===== | ===== Gate capacitance ===== | ||
| Linea 20: | Linea 22: | ||
| //**weak inversion**// => //**moderate inversion**// => //**strong inversion**// | //**weak inversion**// => //**moderate inversion**// => //**strong inversion**// | ||
| + | |||
| + | |||
| + | Basta simulare un MOS connesso a condensatore, con Vs = Vg = Vb = 0 e variare Vg sul gate | ||
| + | da -Vdd a +Vdd | ||
| + | |||
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| + | {{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png?600}} | ||
| + | |||
| + | |||
| See also \\ | See also \\ | ||
| //[[http://www.edaboard.com/thread156795.html]]// \\ | //[[http://www.edaboard.com/thread156795.html]]// \\ | ||
| //[[http://www.el.gunma-u.ac.jp/~kobaweb/news/pdf/e85-c_5_1182.pdf]]// | //[[http://www.el.gunma-u.ac.jp/~kobaweb/news/pdf/e85-c_5_1182.pdf]]// | ||
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