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Linea 32: | Linea 32: | ||
Quindi un gm1/(gds1+gds2) sara' ancora valida, mettendoci pero' dentro i numerini dati da Cadence. | Quindi un gm1/(gds1+gds2) sara' ancora valida, mettendoci pero' dentro i numerini dati da Cadence. | ||
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+ | ====== Analog design rules of thumb ====== | ||
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+ | ===== NMOS vs. PMOS transistors ===== | ||
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+ | - NMOS hanno mu Cox > PMOS, quindi sono piu' veloci! | ||
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+ | - PMOS sono implementati in una N-well a se stante, quindi occupano piu' spazio! | ||
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+ | - PMOS hanno il vantaggio che ogni PMOS ha la sua N-well, quindi offrono | ||
+ | maggiore isolamento! e.g. posso eliminare il bulk effect! | ||
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+ | ===== Generic ===== | ||
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+ | Quello che ho raccolto fino ad ora: | ||
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+ | - sono le **bias currents** che scelgo a determinare le polarizzazioni | ||
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+ | - i **gate voltages** devono essere tali da far passare la corrente richiesta | ||
+ | e da soddisfare le richieste di **output swing** | ||
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+ | - gm = sqrt( 2I / u Cox w/L ) espressione migliore rispetto a quella contenente (Vgs-Vth) | ||
+ | essendo Vth non ben definita! | ||
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+ | - aumento ro increasing the transistor length! | ||
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+ | - aumento gm facendo w/L piu' grande, pero' non troppo perche' altrimenti aumenta Cgs ~ 2/3 Cox wL | ||
+ | e quindi rallento il circuito! | ||
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+ | - w/L = 10 e' a naso il giusto compromesso tra gm e velocita' in qualsiasi tecnologia! | ||
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+ | - w/L e' determinato anche dalle **noise** performances che voglio ottenere | ||
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+ | ===== Current mirrors ===== | ||
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+ | - negli specchi si fanno transistors della stessa lunghezza! cosi' da avere ~ stessa channel length modulation | ||
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+ | - negli specchi di corrente si cerca sempre di fare Ibias minore della corrente specchiata! | ||
+ | cioe' | ||
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+ | I = beta Ibias con beta > 1 | ||
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+ | questo significa che w2 > w1, L1 = L2 | ||
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+ | - implementare Ibias con una Rbias e' una scelta della mutua! Perche' qualsiasi ripple su Vdd mi entra | ||
+ | direttamente sul gate dello specchio! Quindi molto sensibile al noise della linea di alimentazione! | ||
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+ | ===== Cascode stage ===== | ||
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+ | - i due transistori NMOS(PMOS) dello stadio di ingresso si fanno con L1 = L2 ~ Lmin e W1 abbastanza grande | ||
+ | cosi' da aumentare gm | ||
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+ | - posso aumentare gm senza fare w/L eccessivo con la tecnica dello **splitting delle correnti** | ||
+ | iniettando corrente da un ramo ausiliario | ||
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+ | - (w/L)4 abbastanza grande per renderlo insensibile al noise | ||
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+ | ===== Differential pair ===== | ||
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+ | - **wide** input transistors! con (w/L)1 = (w/L)2 ~ 50-100 questo perche' aumenta gm, sono piu' insensibile | ||
+ | all'offset | ||
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+ | - pmos input pair ha il vantaggio che il bulk puo' essere connesso non a Vdd ma al drain | ||
+ | del pmos che genera la tail current! Quindi ho maggiore schermatura da noise su Vdd! High PSRR! | ||
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+ | Last update: [[ pacher@NOSPAMto.infn.it | Luca Pacher ]] - 13 Oct 2012 | ||
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