====== Technology characterization ======


===== Introduction =====

Primissima cosa da fare quandoo uno si mette a lavorare con un nuov PDK, 
caratterizzare la propria technologia! Quindi iniziare da simulazioni sul singolo
transistor per determinare //C<sub>ox</sub>//, //ε<sub>ox</sub>//, //t<sub>ox</sub>//,
gm/Id etc. 

Reference: //Appendix B - CMOS Device Characterization// in //CMOS Analog Circuit Design//, Allen Holdberg



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===== Gate capacitance =====

Primo plot in assoluto da produrre! Cg(Vg)! Da cui posso misurare Cox e quindi tox! Inoltre
vedo la transizione 

//**weak inversion**// => //**moderate inversion**// => //**strong inversion**//  


Basta simulare un MOS connesso a condensatore, con Vs = Vg = Vb = 0 e variare Vg sul gate
da -Vdd a +Vdd


{{:vlsi:workbook:analog:techniques:gate_cap_testbench.png?600}}



See also \\
//[[http://www.edaboard.com/thread156795.html]]//   \\
//[[http://www.el.gunma-u.ac.jp/~kobaweb/news/pdf/e85-c_5_1182.pdf]]//



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